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涡流损耗和磁滞损耗(磁性器件的损耗—磁滞损耗和涡流损耗)

535次浏览     发布时间:2024-06-16 18:11:42    

磁性器件的每一次磁化过程都要消耗一定的能量,这部分的能量损耗主要有磁滞损耗和涡流损耗。

一、磁滞损耗

去掉外磁化电流时,一部分磁畴要克服磁畴壁的摩擦,仍然保持着磁化的方向,使磁芯发热消耗掉,这就是磁滞损耗。

特点:

①磁滞损耗是不可恢复的,它使磁芯发热消耗掉;

②磁滞回线包围面积越大,损耗越大;

③频率越高,损耗功率越大。

二、涡流损耗

I、磁芯材料本身有一定的电阻值,感应电压产生电流ie—涡流,流过这个电阻,引起P=(ie*ie)*R损耗,叫涡流损耗。

特点:

①涡流损耗与磁芯磁通变化率成正比。频率越高,磁通量变得越快,感应电动势越大,涡流越强;

②涡流与每匝伏特和占空比也有关。

例如,一个变压器的初级工作在电压 50V,脉宽 10μS,和100V,5μS。尽管两者伏秒一样(即∆B 相同),但后者每匝伏特比前者大一倍,涡流大一倍,则峰值损耗大 4 倍,因后者脉宽小一倍,所以平均损耗后者比前者大一倍。

③涡流相当于一匝“次级”反射到初级,成为初级磁化电流的一部分,客观上减少了磁芯的动态磁导。电路中电感的涡流可用一个与电感并联的电阻 Re 来等效。

II、线圈导体中的涡流是由肌肤效应和邻近效应引起的。

①涡流建立的磁通阻止磁芯中主磁通变化,使得磁通趋向磁芯的表面,导致磁芯有效截面积减少,这种现象称之为集肤效应。

电流密度减少到导体截面表层电流密度的36.8%(即1/e)处的深度叫做集肤深度Δ或穿透深度。

②两导体A,B流过相同方向的电流,当电流突增时,导体A产生的突变磁通在导体B中产生涡流,使两导体邻近表面的电流增大,另一表面的电流减少。导体B也发生同样的现象。这个现象就是导体之间的邻近效应。

特点:

①当高频电流流过直径较大的线圈导体时,所产生的肌肤效应使线圈的铜耗增加,这是因为高频电流不是均匀地通过导体截面,而是集中在导体表面,使导体没有得到有效的利用。

如上图,交流磁场中的磁滞回线面积比直流回线大,且形状和大小也与磁场的变化频率有关,频率增加时,磁芯的涡流增加,导致相同磁通密度下磁化电流增加。高频时,回线逐渐趋于椭圆。

②肌肤效应和邻近效应使变压器绕组中产生涡流,从而使磁性期间在高频大电流工作时铜耗增加。当导体的厚度趋近于或大于穿透深度α时,在导体附近的磁场将在导体中感应涡流。这些涡流所通过的路径是趋于阻止该磁场的变化。

③邻近损耗不是由变压器绕组电流的直流分量产生的,而是由各次谐波分量产生的。如果电流的谐波含量很大,则所产生的铜耗也会很大。

减小涡流损耗的措施:

①减小感应电势,如使用磁粉芯类材料;

②增加铁芯的电阻率,如使用铁氧体材料;

③加长涡流流经的路径,如使用硅钢片或非晶带。

注意:

通常一种磁性材料的饱和密度比较高,它的体积就可以做到很小,但是磁芯损耗也高。两者很难兼顾。

在低频时,磁芯损耗几乎完全是磁滞损耗。对于今天的磁芯,在 200~300kHz,涡流损耗超过了磁滞损耗。

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